中芯集成电路申请晶圆级熔融键合方法及MEMS器件的制备方法专利，解决热氧生 ...

集群智慧张老师

国家知识产权局信息显示，中芯集成电路（宁波）有限公司申请一项名为“晶圆级熔融键合方法及MEMS器件的制备方法”的专利，公开号CN121548229A，申请日期为2025年11月。
$ V2 M9 R( ]. ^; c+ m  F: c专利摘要显示，本发明公开一种晶圆级熔融键合方法及MEMS器件的制备方法，该晶圆级熔融键合方法包括：提供第一硅晶圆，第一硅晶圆具有相对的正面和背面；在第一硅晶圆的正面形成凹槽并在凹槽的顶部边缘拐角处形成倒角；通过热氧生长方式在第一硅晶圆的正面形成氧化硅介电层，氧化硅介电层覆盖凹槽的底部、凹槽的侧壁以及凹槽范围以外的第一硅晶圆的正面；提供第二硅晶圆，第二硅晶圆具有相对的正面和背面；将第二硅晶圆的正面与第一硅晶圆正面的氧化硅介电层键合在一起。本发明可解决热氧生长后凹槽边缘高起导致的键合失效问题。
天眼查资料显示，中芯集成电路（宁波）有限公司，成立于2016年，位于宁波市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本473304.347718万人民币。通过天眼查大数据分析，中芯集成电路（宁波）有限公司参与招投标项目37次，财产线索方面有商标信息69条，专利信息513条，此外企业还拥有行政许可22个。
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