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电子科技大学工科保研率升学率,在大湾区薪资如何 ...
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电子科技大学工科保研率升学率,在大湾区薪资如何
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混世魔王哟黑
混世魔王哟黑
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7 天前
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电子科技大学(成电)工科:保研率、升学率、大湾区薪资
3 w3 `4 [) C$ `
对比参考:西电全校保研约22‑24%,本科深造率约62‑65%;成电整体指标显著更高 。
& @+ {9 p3 `. `0 H. Y
) D1 r) y1 ^* x! C
& f; I K9 V! N1 K! l" V
/ X9 ]9 r" ~# ~' A e
一、保研率(推免)
) `' W8 y6 j' c! e0 L# ?# N
全校本科整体保研率29‑30%(2025‑2026届),工科内部差异明显:
+ J0 H0 C o% g3 M2 F
- 英才实验学院:85%+(拔尖特区)
( h9 M& f* E8 S% T6 B0 s
- 计算机、集成电路、微电子学院:33‑34%
; f6 @7 L1 ?5 P( \: c
- 信通、电子科学与技术(A+王牌):29‑31%
/ ?; M8 X- r3 s' I8 W; R
- 自动化、光电、机械:27‑29%
9 Q; c0 t# ?6 T3 M$ ?# v. M$ o
- 软件学院:22‑25%
0 e9 K" ], m, u% s
说明:数据来自公开推免统计,最终以学校本科生院公示为准。
) L( M1 x3 h3 O# Y0 G5 Z" \
3 R/ M# x3 f- W f4 M
/ ?4 D# l+ v9 z/ j0 U; z
L( z4 H3 l8 {
二、本科整体升学率(总深造率=国内读研+出国出境)
2 L, u5 X8 }" | }0 P
- 本科总体深造率:72%左右(官方2024‑2025届)
2 f2 E3 r( O( d q( P5 j+ z
- 国内读研(保研+
考研
):约49‑50%
/ W1 D5 ]+ x7 D1 \* i. w, C
- 出国(境)深造:22‑23%
' k; [4 D( v4 x9 T
- 国内深造学生:97%进入双一流/中科院;约66%留在本校读研,其余流向清北、华五、中科院等。
: f5 m/ m/ [5 `: J: n7 u
- 出国:59%进入全球TOP50,76%进入全球TOP100高校,新国立、南洋理工、港科大占比很高。
" G1 v8 r: n+ T5 C
- 直接本科就业仅占22‑25%,大部分工科生会读完硕士再就业。
6 T7 M1 |) N3 d- [3 [$ H" B9 u. l" B* k
- p: a; O" g. \. u' }& Z
1 y; T& v% P4 O4 a# {4 c% H1 E' ~
9 h6 x( N% c9 w( R
三、大湾区(深圳为主、广州)就业去向&薪资
% [) @- d# b( ^& ~/ u
成电在深圳电子信息圈认可度极高,华为、中兴、海思、腾讯、大疆、OPPO、vivo、汇顶、兆易创新、各类IC设计公司大量招聘成电毕业生。
; `/ n+ D, y5 m4 F0 L3 r
1)本科应届生(直接就业,大湾区税前总包)
( O! g X; s& L3 v' g+ U
- 硬件/通信:18‑24万/年
) Y. O. x0 |/ g. d3 e( d5 C
- 软件开发:22‑28万/年
6 p& U. R: }/ s2 P5 [4 e
- IC设计:24‑30万/年
8 m2 T7 m' @ M# T
本科直接就业偏少,多数人读完硕士再来大湾区工作。
- Q5 c/ F0 {0 b7 u& y2 K
# b9 _! @1 w" ~' @2 p7 s
$ w; G9 L% H1 L2 [, E$ W% z
8 ^. z4 ?: v, S( R& m
2)硕士应届生(大湾区主流水平,税前总包)
+ D4 h9 h7 X- Z) |5 j" w3 C
- 硬件、嵌入式:28‑38万
1 f# H, j* Y" m7 c" p+ `0 P
- 软件开发:32‑42万
- o* ? q3 n( q2 G( [+ ?
- IC芯片设计:35‑45万,优秀可达50万+
0 o+ B9 @4 [, M% ~
- 通信算法:36‑45万
/ o) I$ p: Y) Y U. O
浮动部分:年终奖、股票,大厂不同部门差距大;广州整体比深圳低3‑6万/年。
' I% [: K* o- e% Y/ k% t- l1 n
大湾区主要去向企业
; u3 |: w: Q+ f' ?* a ?7 W" n& e
深圳:华为、海思、中兴、大疆、腾讯、字节、OPPO/vivo、紫光展锐、壁仞、摩尔线程、各类芯片设计公司。
# B7 H# z+ [5 q# l/ P" r. \; G
广州:海格通信、无线电集团、电信运营商、互联网分公司。
: y+ I7 j7 R+ J0 {/ r$ S% q8 g- Q
7 ~1 g: b9 s H% D- k; w. C4 U7 ~
1 \4 h/ p& f+ A
3 H2 E0 u8 j1 }3 L* w* p
四、成电 vs 西电关键对比(工科)
' O3 M1 x: I% X: P& o
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