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闪迪近日披露一项专利显示,公司提出基于CBA存储晶粒的3D堆叠架构:将GPU或AI加速器等计算芯片直接集成在NAND/CMOS逻辑存储单元之上,并置于中介层,周围堆叠HBM芯片。其中HBM负责高带宽低延迟访问,NAND层承担大容量读写与存储任务。; u! q# I0 W$ O/ }& I3 O& Z
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该设计旨在缓解HBM容量受限问题(单堆约32–64GB)。此前闪迪提出HBF架构,通过TSV垂直堆叠NAND,容量可达4TB,较HBM提升8–16倍,但仍面临延迟与系统集成复杂度挑战。相较DRAM,NAND具备更高容量与更低成本,但访问速度更慢。新架构通过3D分层,实现了两者的完美互补。
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(文章来源:界面新闻) |
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