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国家知识产权局信息显示，中芯集成电路（宁波）有限公司申请一项名为“晶圆级熔融键合方法及MEMS器件的制备方法”的专利，公开号CN121548229A，申请日期为2025年11月。
/ F4 |7 M4 L1 Y0 v: P0 v' `& ?专利摘要显示，本发明公开一种晶圆级熔融键合方法及MEMS器件的制备方法，该晶圆级熔融键合方法包括：提供第一硅晶圆，第一硅晶圆具有相对的正面和背面；在第一硅晶圆的正面形成凹槽并在凹槽的顶部边缘拐角处形成倒角；通过热氧生长方式在第一硅晶圆的正面形成氧化硅介电层，氧化硅介电层覆盖凹槽的底部、凹槽的侧壁以及凹槽范围以外的第一硅晶圆的正面；提供第二硅晶圆，第二硅晶圆具有相对的正面和背面；将第二硅晶圆的正面与第一硅晶圆正面的氧化硅介电层键合在一起。本发明可解决热氧生长后凹槽边缘高起导致的键合失效问题。4 a: z8 N8 Q& K/ B7 a
天眼查资料显示，中芯集成电路（宁波）有限公司，成立于2016年，位于宁波市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本473304.347718万人民币。通过天眼查大数据分析，中芯集成电路（宁波）有限公司参与招投标项目37次，财产线索方面有商标信息69条，专利信息513条，此外企业还拥有行政许可22个。9 I' }2 w9 B) `: o
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本文源自：市场资讯
! j) H7 Y# O- l4 [8 g- Z$ W5 U作者：情报员 |
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公安备案号：辽公网安备21020302000612号 手机版
发表于 2026-2-20 21:59:14