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三安集成电路申请一种HBT器件专利,提高器件性能

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论坛元老

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发表于 2026-2-20 21:59:14 | 显示全部楼层 |阅读模式
国家知识产权局信息显示,厦门市三安集成电路有限公司申请一项名为“一种HBT器件”的专利,公开号CN121548059A,申请日期为2025年12月。
" Y6 o3 c7 o8 U专利摘要显示,本申请提供一种HBT器件,包括:集电极结构;所述集电极结构包括次集电极层、设于所述次集电极层上方的集电极层、以及集电极接触金属;所述集电极接触金属与所述次集电极层接触,所述集电极接触金属与所述次集电极层之间的接触面至少包括相互连接的第一接触部和第二接触部;其中,所述第一接触部与所述次集电极层中设置所述集电极层的上表面平行,所述第二接触部相对于所述第一接触部之间呈设定角度。
, S3 b3 ?* E; f, u4 D" U* b天眼查资料显示,厦门市三安集成电路有限公司,成立于2014年,位于厦门市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本150000万人民币。通过天眼查大数据分析,厦门市三安集成电路有限公司共对外投资了3家企业,参与招投标项目90次,专利信息355条,此外企业还拥有行政许可105个。" _- k0 J) W* O( P  w
声明:市场有风险,投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成,仅供参考,不构成个人投资建议。9 [3 V, N; A- T. _' u  g
本文源自:市场资讯0 e* m  b7 b7 F0 i  R$ i' o( J
作者:情报员
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