中芯集成电路申请硅基空腔结构及其形成方法专利，可在狭窄且较深的沟槽内实 ...

集群智慧张老师

国家知识产权局信息显示，中芯集成电路（宁波）有限公司申请一项名为“硅基空腔结构及其形成方法”的专利，公开号CN121536880A，申请日期为2025年11月。
专利摘要显示，本申请公开了一种硅基空腔结构及其形成方法，该半导体器件的制造方法包括提供一具有刻蚀窗口的硅基底；对硅基底进行预处理，以去除硅基底上的表面残留物；将预处理后的硅基底置于刻蚀腔体内进行主刻蚀阶段，在主刻蚀阶段中，仅对等离子体施加源功率，不施加偏置功率，并在降低刻蚀腔体的腔体压力的同时增加含氟蚀刻气体的通量，以增强等离子体的横向弥散性刻蚀能力，从而在硅基底的特定深度处形成侧向空腔结构并保留支撑结构。本申请实施例可以在狭窄且较深的沟槽内实现受控侧向空腔。
7 L9 t- J$ r/ a! D& m# n天眼查资料显示，中芯集成电路（宁波）有限公司，成立于2016年，位于宁波市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本473304.347718万人民币。通过天眼查大数据分析，中芯集成电路（宁波）有限公司参与招投标项目37次，财产线索方面有商标信息69条，专利信息513条，此外企业还拥有行政许可22个。
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* t" R, D7 @; T9 I5 h2 I作者：情报员