北京大学申请半导体结构及其制备方法专利，存储元件通过导电通孔与晶体管电 ...
国家知识产权局信息显示，北京大学;北京知识产权运营管理有限公司申请一项名为“半导体结构及其制备方法、存储器、电子设备”的专利，公开号CN122555164A，申请日期为2026年5月。专利摘要显示，本申请提供了一种半导体结构及其制备方法、存储器、电子设备，该方法包括：在衬底上形成堆叠的第一有源结构和第二有源结构；基于第一有源结构，形成晶体管；晶体管包括源漏结构、第一层间介质层、栅极和第一后道互连层；倒片并减薄衬底；沉积介质材料，以形成第二层间介质层；对第二层间介质层、第一层间介质层进行光刻处理，形成第一凹槽和第一通孔；第一凹槽位于第二层间介质层内部；第一通孔位于第一层间介质层内部，并暴露源漏结构的表面的至少一部分；第一通孔与第一凹槽的底部连通；在第一通孔中填充金属，形成导电通孔；在第一凹槽中形成存储元件；存储元件通过导电通孔与晶体管电连接；在存储元件上形成第二后道互连层。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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