替代HBM4？英特尔公布AI内存新专利 采用定制化封装方案 ...
在东方财富看资讯行情，选东方财富证券一站式开户交易
近日，英特尔公布一项名为XBM的超高带宽内存专利技术，旨在成为HBM4的替代方案，有望提供更高的带宽和更低的成本。据wccftech报道，这项技术的商业化时间预计将在2030年之后。
XBM（eXtended Bandwidth Memory），全称扩展带宽内存，属于DRAM内存方案，其封装尺寸将与HBM4保持一致，每颗芯片的容量可在0.5GB-5GB之间，搭载32GT/s速率的UCIe通用芯粒互联接口。
XBM最核心的革新在于重构了芯片底层架构。传统DRAM的存储单元制作于前段制程（FEOL），也就是原生用于制作晶体管的底层硅基底；而XBM将1T1C存储单元转移至后段制程（BEOL），布置在晶体管上层的金属通孔堆叠区域，并采用薄膜晶体管工艺。
芯片堆叠的倾斜视图，显示了跨层的对齐数据块和TSV
这种后道集成存储单元的设计，能大幅提升芯片面积利用率，容纳更多硅通孔（TSV），有效拉高内存集成密度与带宽上限，这也契合英特尔长期推行的“存储层叠于逻辑电路上方”的后道晶体管技术路线。
值得注意的是，该专利的侧重点不在于存储单元本身，而在于定制化封装方案：英特尔推出封装集成内存（MoP）与反向悬垂结构，优化Z轴堆叠高度。传统MoP会增加300-350微米厚度，新结构可降低堆叠高度，取消防翘曲加固筋，由电压调节器直接为DRAM供电，实现更小体积、更低成本的封装形态。
封装内存横截面图，芯片堆叠位于SoC模块两侧
在硬件规格上，XBM由封装基板、可选基底芯片和堆叠存储芯片阵列构成，整体封装尺寸与HBM4保持一致；其工作频率为2GHz，依靠子通道数量与堆叠层数控制数据块规模，依托架构和封装双重优化，能够在更小的硬件体积内实现更高的带宽与存储容量。
高带宽内存（HBM）将DRAM芯片垂直堆叠在底层逻辑芯片上方，通过TSV完成芯片互联，并借助硅中介层，以超宽并行接口与处理器进行数据通信，单堆叠位宽可达1024位。该超大位宽是HBM实现超高带宽的核心，但也直接导致其封装成本高、扩展性受限，根源在于所有信号走线都必须穿过内存与计算芯片之间的硅中介层。
随着AI加速器算力增速远超内存读写性能增速，这类内存墙已经制约整体性能，因此目前主流芯片厂商均将研发重心放在内存接口与堆叠架构优化上，而非单纯迭代逻辑芯片。
业界均紧锣密鼓研究HBM替代方案。
英特尔此前推进过多款DRAM存储研发项目，例如混合内存立方体（HMC）与多通道DRAM（MCDRAM），均遭遇各类技术难题，始终未能实现量产上市。借助XBM方案，英特尔正在调整自身DRAM存储研发路线。
目前，英特尔至少在并行开发两种HBM替代方案，除了XBM，还有ZAM（Z角存储器）方案，ZAM是英特尔与软银子公司SAIMEMORY联合开发的架构，计划在2026年超大规模集成电路研讨会上展示。
ZAM的创新之处在于键合技术——采用熔合键合技术，将九层DRAM堆叠在一起，层间硅层厚度约为3微米，层间硅层厚度也约为3微米。据报道，其带宽密度约为HBM4的两倍，商业化目标时间为2029年。
全新妙想投研助理，立即体验
（文章来源：财联社） 全球芯片封装技术不断更新，不断进步，无论是台积电、三星、海力士，还是英特尔，都有独门绝技问世，再看看我们那几家，几乎没看见多大进展，无论是长电，还是通富、华天。 长电、长电、还是长电 钼（Mo）作为难熔金属，凭借高熔点（2623C）、低热膨胀系数、优异导电性等特性，在薄膜晶体管（TFT）领域成为关键材料，主要应用于半导体先进制程、平板显示、薄膜太阳能电池三大方向，在7nm及以下先进制程中，钼薄膜（通过二氯二氧化钼MoO₂Cl₂前驱体ALD/CVD沉积）逐步替代传统钨（W）二维钼基半导体：如MoSe₂、MoS₂等二维材料，凭借原子级厚度、可调带隙特性，成为柔性电子、纳米晶体管的候选材料，目前通过MOCVD技术可实现晶圆级MoSe₂薄膜的快速生长，为柔性TFT提供新路径 7月3日华为韬定律V2 版本钼金属是玻璃基3D封装与先进互连技术核心材料不可替代&SK海力士已完成375层V10系列3D NAND闪存全流程量产验证，本次技术变革核心为用金属钼全面替代传统钨制作存储字线，标志着全球300层以上高端3D NAND开始进入“钼时代”。2026-07-08“极端环境用特种钼合金制备关键技术”荣获2025年度国家科学技术进步奖二等奖。金钼股份连续大跌超30%打破核工程、高温炉、强腐蚀介质、航空航天发动机部件等特种钼合金长期被国外垄断的局势，推动我国在钼深加工高端化链条上再添新绩。 2030年，你现在说个锤子
页:
[1]